三星第9代V- NAND将采用双层堆栈架构

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三星电子有望在明年推出第9代V-NAND闪存，据悉，这款新型闪存将采用双层堆栈架构，层数超过300层。这一举措将使三星在竞争中领先SK海力士，后者计划在2025年上半年开始大规模生产321层的三层堆栈架构NAND闪存。值得一提的是，三星早在2020年就首次引入了双层堆栈架构，开始生产第7代V-NAND闪存芯片。 双层堆栈架构是指在300mm晶圆上生产一个3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上再建立一个堆栈。三星即将生产的超过300层的第9代V-NAND将提高单个晶圆上的存储密度，从而有利于降低固态硬盘的成本。 与此同时，SK海力士的三层堆栈架构是通过创建三组不同的3D NAND层来实现的。这种做法将增加生产步骤和原材料的使用量，旨在最大限度地提高产量。 据首尔经济日报报道，业界认为在三星推出第9代3D NAND之后，该公司有望在第10代的430层3D NAND中采用三层堆栈架构。业内人士表示，如果3D NAND的层数超过400，原材料的使用量和晶圆的成本也会大幅增加，但同时也能保证产量。 在去年10月举行的“2022三星科技日”上，三星提出了长期愿景，即到2030年将层数提升至1000层。这一愿景显示了三星在3D NAND技术领域的雄心壮志。